宁波晶体振荡器直销

晶振高稳定工作：很多电子工程师，在设计晶振电路使用晶振时，常会碰到这样的问题，一是晶振在电路中匹配不理想，影响使用效果;二是晶振的温度漂移太大，甚至影响产品的整体性能。市面上常用的晶振有两种：无源晶振和有源晶振。 而考虑到成本的问题，很多用户选择了无源晶振，其使用效果不取决于晶振本身的指标，还与振荡电路的设计匹配关联性极大，因此，也会出现匹配不理想的状况。而有源晶振是直接将晶体与钟振IC“捆绑”封装调试后，提供给用户，从而避免了客户端因晶体负载匹配不当，造成电路频率漂移的问题，接下来扬兴与大家浅谈有源晶振避免类似不良的问题。 石英晶体俗称水晶，成分为二氧化硅，具有“压电效应”和极高的品质因数，被应用于各种振荡电路，其频率稳定度一般可以达到10-6~10-8数量级，甚至更高。晶振通常与锁相环电路配合使用，以提供系统所需的时钟频率。宁波晶体振荡器直销

晶体振荡器的指标，静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用C0表示。工作温度范围：能够保证振荡器输出频率及其化各种特性符合指标的温度范围。频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的较大允许频偏。ft：频率温度稳定度（不带隐含基准度）；ftref：频率温度稳定度（带隐含基准温）；fmax：规定温度范围内测得的较高频率；fmin：规定温度范围内测得的较低频率；fref：规定基准温度测得的频率。说明：采用ftref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用ft指标的晶体振荡器，故ftref指标的晶体振荡器售价较高。振荡器比谐振器多了一个重要技术参数为：谐振电阻（RR），谐振器没有电阻要求。RR的大小直接影响电路的性能，也是各商家竞争的一个重要参数。温州2016晶体振荡器厂家推荐晶体振荡器通常，在晶体振荡器电路的构造中使用双极型晶体管或FET。

在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。当晶体不振动时，可把它看成一个平板电容器称为静电电容C，它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关，一般约几个皮法到几十皮法。当晶体振荡时，机械振动的惯性可用电感L来等效。一般L的值为几十豪亨到几百豪亨。

晶体振荡器的电压：任何类型的晶体振荡器通常都可以被设计为利用系统中已有的DC输入供电电压来操作。在数位系统中，通常希望使用电压，以匹配系统中逻辑元件所用的电压;该系统中将驱动振荡器，使其得以直接相容于逻辑电平。+3.3V或+5V是这些数位单元的典型输入。具有较高功率输出的其它元件可以使用较高电压，例如+12V或+15V。另一个考虑因素是为元件供电所需的电流量。XO或TCXO可能只需要几mA，因此在低电压系统中，其功耗可以小于0.01W。另一方面，在上电时，一些OCXO可能需要5W或6W。石英晶体谐振器的频率稳定度高达百万分之几（ppm），做成振荡器其频率稳定度可达-6量级。

串联型晶体振荡器的电路的振荡过程：接通电源后，三极管VT1、VT2导通，VT2发射极输出变化的Ie电流中包含各种频率的信号，石英晶体X1对其中的f0信号阻抗很小，f0信号经X1、RP1反馈到VT1的发射极，该信号经VT1放大后从集电极输出，又加到VT2放大后从发射极输出，然后又通过X1反馈到VT1放大，如此反复进行，VT2输出的f0信号幅度越来越大，VT1、VT2组成的放大电路放大倍数越来越小，当放大倍数等于反馈衰减系数时，输出f0信号幅度不再变化，电路输出稳定的f0信号。晶片谐振频率与石英斜面倾角等有关系的，且频率一定。3225晶体振荡器厂家

要知道在PCB布线时晶体振荡器电路的走线应尽量短且尽可能靠近IC，杜绝在晶体振荡器两脚间走线。宁波晶体振荡器直销

晶体振荡器的主要参数：负载电容。负载电容是指晶体振荡器的两条引线连接的集成电路（IC）内部及外部所有有效电容之和，可看作晶体振荡器片在电路中串接电容。负载电容不同，振荡器的振荡频率不同。但标称频率相同的晶体振荡器，负载电容不一定相同。一般来说，有低负载电容（串联谐振晶体）和高负载电容（并联谐振晶体）之分。因此，标称频率相同的晶体互换时还必须要求负载电容一致，不能轻易互换，否则会造成电路工作不正常。频率准确度。频率准确度是指在标称电源电压、标称负载阻抗、基准温度（25℃）以及其他条件保持不变时，晶体振荡器的频率相对于其规定标称值的较大允许偏差。宁波晶体振荡器直销